HTCSEMI(海天芯)中国

HT2301ARTZ

晶体管 - FET，MOSFET - 单

P通道增强模式功率MOSFET-VDS = -20V,ID = -3.5A

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沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流3.5 A
导通电阻95 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流3.5 A
导通电阻95 mΩ最大 · 2.5V
电源
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3.5A
其他
导通电阻(RDS(on))95mΩ@2.5V
数量1个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 439.1 KB · 2026-09-21
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