HITENX(海速芯)中国

HTMN100G019T2

在产单 FET，MOSFETTO-252

海速芯（杭州）科技有限公司

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技术参数

环境与封装
PackageTO-252
其他
ID(A)19
N/PN
ProcessSGT
Rdson_10V(mΩ) Max10
Rdson_10V(mΩ) Typ8
Vdss(V)100
Vgs(V)±20
Vth (V) Max.2.3
Vth (V) Min.1.1
Vth (V) Typ.1.7

技术资料

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