HTPC8408LQ
晶体管 - FET，MOSFET - 单这款场效应管（MOSFET）属于N+P沟道类型，其最大导通电流（ID/A）为7.2A，能够承受的最大漏源电压（VDSS/V）为40V。在导通状态下的电压降非常低，表现为导通电阻（RDSON/mΩ）仅为23毫欧姆，在确保高效能的同时降低了功耗。此MOSFET的栅极与源极之间的电压（VGS/V）可以达到±20V，提供了良好的控制性能。适用于需要高效率和快速开关的应用中，如消费类电子产品中的电源管理、便携式设备的电源转换及保护电路等。(TPC8408,LQ(S)
耐压40 V
连续漏极电流7.2 A
导通电阻44 mΩ
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耐压40 V
连续漏极电流7.2 A
导通电阻44 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 7.2A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44mΩ@10V |
| 耗散功率(Pd) | 1.67W |