HXY2300AI
晶体管 - FET，MOSFET - 单该消费级N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，针对20V电压系统设计，提供高达6A的连续电流处理能力。具有卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及各类高效率电子应用中，实现高效能、稳定的功率转换与控制。
沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流6 A
导通电阻73 mΩ
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沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流6 A
导通电阻73 mΩ最大 · 1.8V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 6A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 73mΩ@1.8V |
| 数量 | 1个N沟道 |