IPW65R080CFD-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单TO247；N—Channel沟道,650V；34A；RDS(ON)=80mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2.5~4.5V；
沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流34 A
导通电阻80 mΩ
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沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流34 A
导通电阻80 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 连续漏极电流(Id) | 34A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |