IPW65R110CFDFKSA2-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道；650V；47A；RDS(ON)=50(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；
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台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道；650V；47A；RDS(ON)=50(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；
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