IPZA65R035CFD7AXKSA1-HXY
单 FET，MOSFET该碳化硅场效应管为N沟道结构，漏极电流ID可达99A，最大漏源电压VDSS为650V，导通电阻RDS(ON)低至26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频与高温工作能力，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升整体能效表现，在各类高可靠性电子设备中可实现紧凑且高效的功率管理方案。
该碳化硅场效应管为N沟道结构，漏极电流ID可达99A，最大漏源电压VDSS为650V，导通电阻RDS(ON)低至26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频与高温工作能力，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升整体能效表现，在各类高可靠性电子设备中可实现紧凑且高效的功率管理方案。