IRF2807ZPBF-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；
沟道N 沟道
耐压80 V
连续漏极电流100 A
导通电阻9 mΩ
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沟道N 沟道
耐压80 V
连续漏极电流100 A
导通电阻9 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 80V |
| 连续漏极电流(Id) | 100A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个N沟道 |