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技术参数

电源
ID-最大漏极电流13.3A
Id-额定电流13.3A
VDSS-最大漏源电压30V
环境与封装
封装类型1TO263
最大工作温度150℃
其他
Pd-功率耗散2.5W
Pd-最大功率耗散2.5W
Qg-栅极电荷41nC
Vdss-漏源耐压30V
Vgs-栅源耐压12V
内置ESD保护二极管0
内置整流二极管0
引脚数量13
集成ESD保护二极管0
集成整流二极管0

器件图片

技术资料