IRFB3407ZPBF-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单N沟道MOSFET，采用Trench技术。适合在需要高效能和高可靠性的场合使用。TO220；N—Channel沟道,80V；160A；RDS(ON)=4.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
沟道N 沟道
耐压80 V
连续漏极电流160 A
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沟道N 沟道
耐压80 V
连续漏极电流160 A
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 80V |
| 连续漏极电流(Id) | 160A |
| 其他 | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 输入电容(Ciss) | 6.71nF@40V |