IRFBC20PBF-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单N型功率MOSFET，具有高性能和可靠性。采用平面工艺（Plannar），适用于各种功率电子应用，提供可靠的电气特性和稳定的性能。TO220；N—Channel沟道,650V；2A；RDS(ON)=4000mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流2 A
导通电阻4 Ω
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沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流2 A
导通电阻4 Ω最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 连续漏极电流(Id) | 2A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |