IRFBC30AS

停产晶体管 - FET,MOSFET - 单D²PAK

MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK

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沟道N 沟道
耐压600 V
连续漏极电流3.6 A
导通电阻2.2 Ω

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技术参数

沟道N 沟道
耐压600 V
连续漏极电流3.6 A
导通电阻2.2 Ω最大 · 2.2A
阈值电压4.5 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)74W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device PackageD²PAK (TO-263)
其他
Base Product NumberIRFBC30
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds510 pF @ 25 V
MfrVishay Siliconix
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

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