Texas Instruments美国

IRFP246

晶体管 - FET，MOSFET - 单

1个N沟道 耐压:275V 电流:15A

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沟道N 沟道
耐压275 V
连续漏极电流15 A
导通电阻280 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压275 V
连续漏极电流15 A
导通电阻280 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)275V
连续漏极电流(Id)15A
其他
导通电阻(RDS(on))280mΩ@10V
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 895.3 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 708.8 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 174.3 KB · 2026-09-21
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