IRFP450
晶体管 - FET，MOSFET - 单类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：500V 连续漏极电流(Id)：16A 功率(Pd)：60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：0.32Ω@10V,6.5A
沟道N 沟道
耐压500 V
连续漏极电流16 A
导通电阻320 mΩ
全部替代型号
查看完整报告技术参数
沟道N 沟道
耐压500 V
连续漏极电流16 A
导通电阻320 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 500V |
| 连续漏极电流(Id) | 16A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 320mΩ@10V,6.5A |
| 数量 | 1个N沟道 |