Texas Instruments美国

IRFPC40

晶体管 - FET，MOSFET - 单

N沟道 MOSFET,电流:6.8A,耐压:600V

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沟道N 沟道
耐压600 V
连续漏极电流6.8 A
导通电阻1.2 Ω

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技术参数

沟道N 沟道
耐压600 V
连续漏极电流6.8 A
导通电阻1.2 Ω最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)6.8A
其他
导通电阻(RDS(on))1.2Ω@10V
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 1.5 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 895.3 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 708.8 KB · 2026-09-21
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