IRFPC40

IRFPC40

在产晶体管 - FET,MOSFET - 单TO-247-3

6.8A 600V 1.200 OHM N-CHANNEL

问 AI FAE
沟道N 沟道
耐压600 V
连续漏极电流6.8 A
导通电阻1.2 Ω

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

沟道N 沟道
耐压600 V
连续漏极电流6.8 A
导通电阻1.2 Ω最大 · 4.1A
阈值电压4 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)150W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageBulk
Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247-3
其他
Base Product NumberIRFPC40
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1300 pF @ 25 V
MfrHarris Corporation
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 4.1A, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

器件图片

技术资料

该型号暂未收录资料。