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IRFS730B

晶体管 - FET，MOSFET - 单

1个N沟道 耐压:400V 电流:5.5A

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沟道N 沟道
耐压400 V
连续漏极电流5.5 A
导通电阻1 Ω

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技术参数

沟道N 沟道
耐压400 V
连续漏极电流5.5 A
导通电阻1 Ω最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)400V
连续漏极电流(Id)5.5A
其他
导通电阻(RDS(on))1Ω@10V
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 898.6 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 492.3 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 404.4 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 205.9 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 158.5 KB · 2026-09-21
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