IRFS820B

IRFS820B

在产晶体管 - FET,MOSFET - 单TO-220F-3

N-CHANNEL POWER MOSFET

问 AI FAE
沟道N 沟道
耐压500 V
连续漏极电流2.5 A
导通电阻2.6 Ω

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技术参数

沟道N 沟道
耐压500 V
连续漏极电流2.5 A
导通电阻2.6 Ω最大 · 1.25A
阈值电压4 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.5A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)33W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageBulk
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Supplier Device PackageTO-220F-3
其他
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds610 pF @ 25 V
MfrFairchild Semiconductor
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.6Ohm @ 1.25A, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

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