IRLML6402
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IRLML6402

在产晶体管 - FET,MOSFET - 单SOT-23

20V 3.7A 1.3W 65MR@4.5V,3.7A 950

问 AI FAE
沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流3.7 A
导通电阻65 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流3.7 A
导通电阻65 mΩ最大 · 3.7A
阈值电压950 mV最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Power Dissipation (Max)1.3W (Ta)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device PackageSOT-23
其他
FET Feature-
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds633 pF @ 10 V
MfrUMW
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 3.7A, 4.5V
SeriesUMW
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id0.95V @ 250µA

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