ISC026N03L5S
Infineon Technologies德国

ISC026N03L5S

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流100 A
导通电阻2.2 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流100 A
导通电阻2.2 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)100A
其他
导通电阻(RDS(on))2.2mΩ@10V,30A
数量1个N沟道

器件图片

ISC026N03L5S实物照片 · 产品库

技术资料

数据手册数据手册 · 1.3 MB · 2026-09-22选型与目录选型与目录 · 3.3 MB · 2026-09-22宣传资料宣传资料 · 162.8 KB · 2026-09-22质量与可靠性质量与可靠性 · 127.7 KB · 2026-09-22环保合规环保合规 · 98.8 KB · 2026-09-22环保合规环保合规 · 98.7 KB · 2026-09-22
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