ISC0805NLSATMA1

ISC0805NLSATMA1

在产晶体管 - FET,MOSFET - 单

MOSFET N-CH 100V 13A/71A TDSON

问 AI FAE
沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流13 ~ 71 A
导通电阻7.8 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流13 ~ 71 A
导通电阻7.8 mΩ最大 · 50A
阈值电压2.3 V最大 · 40μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Ta), 71A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta), 74W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / Case8-PowerTDFN
Supplier Device PackagePG-TDSON-8-46
其他
Base Product NumberISC0805N
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2200 pF @ 50 V
MfrInfineon Technologies
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.8mOhm @ 50A, 10V
SeriesOptiMOS™ 5
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 40µA

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