ISC104N12LM6

ISC104N12LM6

在产单 FET,MOSFET

ISC104N12LM6 is a N-channel power MOSFETs with VDS max: 120 V, RDS (on) max: 10.4 mOhm, Package: SuperSO8 5x6, Technology: OptiMOS™ 6, ID max: 63 A

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阈值电压1.7 V

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技术参数

阈值电压1.7 V最大
电源
Battery voltage48-72 V
环境与封装
Operating Temperature range-55 °C to 175 °C
PackageSuperSO8 5x6
其他
ID (@25°C) max63 A
IDpuls max252 A
PolarityN
Ptot max94 W
QG (typ @10V)19.6 nC
QG (typ @4.5V)10.4 nC
RDS (on) (@10V) max10.4 mΩ
RDS (on) (@4.5V) max14.1 mΩ
Special FeaturesLogic Level
VDS max120 V
VGS(th)1.7 V
VGS(th) range1.2 V to 2.2 V

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