这款采用第3代SiC SBD工艺技术的二极管产品，具有较低的正向压降（Vf)、较高的击穿电压(BV)和较小的反向恢复电流，能耐受较大的浪涌电流。
反向耐压650 V
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反向耐压650 V
| IF(150°) | 20A |
| IFSM(tp=10ms) | 180A |
| VF(175°) | 1.48V |
| VF(25°) | 1.32V |
| VRRM | 650V |
这款采用第3代SiC SBD工艺技术的二极管产品，具有较低的正向压降（Vf)、较高的击穿电压(BV)和较小的反向恢复电流，能耐受较大的浪涌电流。
| IF(150°) | 20A |
| IFSM(tp=10ms) | 180A |
| VF(175°) | 1.48V |
| VF(25°) | 1.32V |
| VRRM | 650V |