IXYS美国

IXFA10N80P

在产晶体管 - FET,MOSFET - 单TO-263AA

MOSFET N-CH 800V 10A TO263

沟道N 沟道
耐压800 V
连续漏极电流10 A
导通电阻1.1 Ω

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技术参数

沟道N 沟道
耐压800 V
连续漏极电流10 A
导通电阻1.1 Ω最大 · 5A
阈值电压5.5 V最大 · 2.5mA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)300W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device PackageTO-263AA (IXFA)
其他
Base Product NumberIXFA10
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2050 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.1Ohm @ 5A, 10V
SeriesHiPerFET™, Polar
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 2.5mA

技术资料