IXFC80N08
IXYS美国

MOSFET N-CH 80V 80A ISOPLUS220

沟道N 沟道
耐压80 V
连续漏极电流80 A
导通电阻11 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压80 V
连续漏极电流80 A
导通电阻11 mΩ最大 · 40A
阈值电压4 V最大 · 4mA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)230W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTube
Package / CaseISOPLUS220™
Supplier Device PackageISOPLUS220™
其他
Base Product NumberIXFC80N08
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4800 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs11mOhm @ 40A, 10V
SeriesHiPerFET™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 4mA

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