IXYS美国

IXFE44N50Q

在产晶体管 - FET,MOSFET - 单SOT-227B

MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B

查看替代型号问 AI FAE
沟道N 沟道
耐压500 V
连续漏极电流39 A
导通电阻120 mΩ

全部替代型号

查看完整报告

已收录 3 个替代型号,登录后查看。

技术参数

沟道N 沟道
耐压500 V
连续漏极电流39 A
导通电阻120 mΩ最大 · 22A
阈值电压4 V最大 · 4mA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C39A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)400W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeChassis Mount
Operating Temperature-40°C~150°C(TJ)
PackageTube
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device PackageSOT-227B
其他
Base Product NumberIXFE44
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7000 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 22A, 10V
SeriesHiPerFET™, Q Class
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 4mA

技术资料

该型号暂未收录资料。