IXYS美国

IXFN32N100Q3

在产晶体管 - FET,MOSFET - 单SOT-227B

MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B

问 AI FAE
沟道N 沟道
耐压1 kV
连续漏极电流28 A
导通电阻320 mΩ

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

沟道N 沟道
耐压1 kV
连续漏极电流28 A
导通电阻320 mΩ最大 · 16A
阈值电压6.5 V最大 · 8mA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C28A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)780W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeChassis Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTube
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device PackageSOT-227B
其他
Base Product NumberIXFN32
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9940 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs320mOhm @ 16A, 10V
SeriesHiPerFET™, Q3 Class
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id6.5V @ 8mA

技术资料

该型号暂未收录资料。