IXFP4N85XM
IXYS美国

IXFP4N85XM

在产晶体管 - FET,MOSFET - 单TO-220

MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220

沟道N 沟道
耐压850 V
连续漏极电流3.5 A
导通电阻2.5 Ω

全部替代型号

查看完整报告

已收录 1 个替代型号,登录后查看。

技术参数

沟道N 沟道
耐压850 V
连续漏极电流3.5 A
导通电阻2.5 Ω最大 · 2A
阈值电压5.5 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)850 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)35W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Supplier Device PackageTO-220
其他
Base Product NumberIXFP4N85
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds247 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5Ohm @ 2A, 10V
SeriesHiPerFET™, Polar
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 250µA

器件图片

技术资料