IXFP7N100P
IXYS美国

IXFP7N100P

在产晶体管 - FET,MOSFET - 单TO-220-3

MOSFET N-CH 1000V 7A TO220AB

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沟道N 沟道
耐压1 kV
连续漏极电流7 A
导通电阻1.9 Ω

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技术参数

沟道N 沟道
耐压1 kV
连续漏极电流7 A
导通电阻1.9 Ω最大 · 3.5A
阈值电压6 V最大 · 1mA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)300W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-220-3
Supplier Device PackageTO-220-3
其他
Base Product NumberIXFP7N100
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2590 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.9Ohm @ 3.5A, 10V
SeriesHiPerFET™, Polar
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id6V @ 1mA

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