IXFQ28N60P3
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IXFQ28N60P3

在产晶体管 - FET,MOSFET - 单TO-3P

MOSFET N-CH 600V 28A TO3P

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沟道N 沟道
耐压600 V
连续漏极电流28 A
导通电阻260 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压600 V
连续漏极电流28 A
导通电阻260 mΩ最大 · 14A
阈值电压5 V最大 · 2.5mA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C28A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)695W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device PackageTO-3P
其他
Base Product NumberIXFQ28
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3560 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs260mOhm @ 14A, 10V
SeriesHiPerFET™, Polar3™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 2.5mA

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