IXTH26P20P-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；TO247；P—Channel沟道；-100V；-21A；RDS(ON)=200(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-2V；采用Trench技术；
全部替代型号
查看完整报告技术参数
该型号暂未提供技术参数。
台积电流片，长电科技封装；TO247；P—Channel沟道；-100V；-21A；RDS(ON)=200(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-2V；采用Trench技术；
该型号暂未提供技术参数。