IXYS美国

IXTH2N150

在产晶体管 - FET,MOSFET - 单TO-247

DISCMOSFET N-CH STD-HIVOLTAGE TO

问 AI FAE
沟道N 沟道
耐压1.5 kV
连续漏极电流2 A
导通电阻9.2 Ω

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技术参数

沟道N 沟道
耐压1.5 kV
连续漏极电流2 A
导通电阻9.2 Ω最大 · 500mA
阈值电压5 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)1500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)170W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247 (IXTH)
其他
Base Product NumberIXTH2
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds830 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.2Ohm @ 500mA, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

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