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IXTH30N25L2

在产晶体管 - FET,MOSFET - 单TO-247

MOSFET N-CH 250V 30A TO247

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沟道N 沟道
耐压250 V
连续漏极电流30 A
导通电阻140 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压250 V
连续漏极电流30 A
导通电阻140 mΩ最大 · 15A
阈值电压4.5 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)355W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247 (IXTH)
其他
Base Product NumberIXTH30
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3200 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs140mOhm @ 15A, 10V
SeriesLinear L2™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

技术资料