IXTP2N100P
IXYS美国

IXTP2N100P

在产晶体管 - FET,MOSFET - 单TO-220-3

MOSFET N-CH 1000V 2A TO220AB

问 AI FAE
沟道N 沟道
耐压1 kV
连续漏极电流2 A
导通电阻7.5 Ω

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技术参数

沟道N 沟道
耐压1 kV
连续漏极电流2 A
导通电阻7.5 Ω最大 · 500mA
阈值电压4.5 V最大 · 100μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)86W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-220-3
Supplier Device PackageTO-220-3
其他
Base Product NumberIXTP2
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds655 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5Ohm @ 500mA, 10V
SeriesPolar
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 100µA

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