IXTP32N65XM
IXYS美国

IXTP32N65XM

在产晶体管 - FET,MOSFET - 单TO-220-3

MOSFET N-CH 650V 14A TO220-3

沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流14 A
导通电阻135 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流14 A
导通电阻135 mΩ最大 · 16A
阈值电压5.5 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)78W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-220-3
Supplier Device PackageTO-220-3
其他
Base Product NumberIXTP32
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2206 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs135mOhm @ 16A, 10V
SeriesUltra X
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 250µA

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