IXTP450P2
IXYS美国

IXTP450P2

在产晶体管 - FET,MOSFET - 单TO-220-3

MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB

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沟道N 沟道
耐压500 V
连续漏极电流16 A
导通电阻330 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压500 V
连续漏极电流16 A
导通电阻330 mΩ最大 · 8A
阈值电压4.5 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)300W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-220-3
Supplier Device PackageTO-220-3
其他
Base Product NumberIXTP450
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2530 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs330mOhm @ 8A, 10V
SeriesPolarP2™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

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