IXTY1N120P
IXYS美国

IXTY1N120P

在产晶体管 - FET,MOSFET - 单TO-252AA

MOSFET N-CH 1200V 1A TO252

问 AI FAE
沟道N 沟道
耐压1.2 kV
连续漏极电流1 A

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技术参数

沟道N 沟道
耐压1.2 kV
连续漏极电流1 A
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Power Dissipation (Max)-
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-
PackageTube
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device PackageTO-252AA
其他
Base Product NumberIXTY1
FET Feature-
FET TypeN-Channel
MfrIXYS
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
SeriesPolar
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id-

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