IXTY2N80P
IXYS美国

IXTY2N80P

停产晶体管 - FET,MOSFET - 单TO-252AA

MOSFET N-CH 800V 2A TO252

沟道N 沟道
耐压800 V
连续漏极电流2 A
导通电阻6 Ω

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技术参数

沟道N 沟道
耐压800 V
连续漏极电流2 A
导通电阻6 Ω最大 · 1A
阈值电压5.5 V最大 · 50μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)70W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device PackageTO-252AA
其他
Base Product NumberIXTY2
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds440 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs6Ohm @ 1A, 10V
SeriesPolarHV™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 50µA

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