IXTY32P05T-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；TO252；P—Channel沟道；-60V；-50A；RDS(ON)=20(mΩ)；VGS=±20V；Vth=-1.7V；采用Trench技术；
耐压60 V
连续漏极电流50 A
导通电阻25 mΩ
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耐压60 V
连续漏极电流50 A
导通电阻25 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 50A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |