JANS1N5615US

在产二极管 - 整流器 - 单

DIODE GEN PURP 200V 1A A SQ-MELF

查看国产替代问 AI FAE
反向耐压200 V
平均整流电流1 A
正向压降1.6 V
类型标准

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

反向耐压200 V
平均整流电流1 A
正向压降1.6 V最大 · 3 A
类型标准Fast Recovery =< 500ns,> 200mA (Io)
电源
Current - Average Rectified (Io)1A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.6 V @ 3 A
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature - Junction-65°C~175°C
PackageBulk
Package / CaseSQ-MELF, A
Supplier Device PackageA, SQ-MELF
其他
Capacitance @ Vr, F-
Diode TypeStandard
MfrMicrochip Technology
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)150 ns
Series-
SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

技术资料

该型号暂未收录资料。