JCS10N65FT-R-F-N-B-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Plannar技术，具有高性能和可靠性。适用于太阳能逆变器、UPS系统等的功率开关、电动汽车的驱动模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；10A；RDS(ON)=820mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流10 A
导通电阻820 mΩ
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沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流10 A
导通电阻820 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 连续漏极电流(Id) | 10A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 820mΩ@10V,4A |
| 数量 | 1个N沟道 |