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JCS640RH-O-R-N-A

晶体管 - FET，MOSFET - 单

N沟道, 200V, 18A, 0.15欧姆@Vgs=10V

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沟道N 沟道
耐压200 V
连续漏极电流18 A
阈值电压4 V

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技术参数

沟道N 沟道
耐压200 V
连续漏极电流18 A
阈值电压4 V最大
电源
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)18A
阈值电压(Vgs(th))4V
其他
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 1.4 MB · 2026-09-21
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