HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

此款静电和浪涌保护器件，设计用于敏感电路的防护，其IPP为7安培，表明能承受的峰值脉冲电流强度。工作反向关断电压VRWM设定在3.3伏特，确保在正常操作条件下不会对电路造成干扰。该元件拥有10皮法的极低电容CJ，有助于维持信号完整性，同时减少对高速数据传输的影响。作为单通道（LINE:1通道）双向TYPE:Bi双向保护器件，它能够在正反两个方向提供一致的保护性能，适用于需要防止因静电放电和瞬时电压波动而可能引起的损坏的各种电子设备中。