本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），支持60A连续漏极电流，导通电阻低至40mΩ，具备优异的导电性能和较低的开关损耗。采用碳化硅半导体材料，提升了器件在高温、高频环境下的稳定性与效率。适用于高效能电源转换装置、可再生能源系统及高密度电力电子设备，在要求严苛的应用场景中提供可靠、高效的电力控制解决方案。【联系：sales@hxymos.com】
连续漏极电流60 A
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连续漏极电流60 A
| 环境与封装 | |
|---|---|
| 封装 | TO-247 |
| 其他 | |
| ID | 60A |
| RDON | 40mR |
| TYPE | N-ch |
| VDSS | 1200V |