KSC5026MOS
onsemi美国

KSC5026MOS

在产晶体管 - 双极(BJT) - 单管TO-126-3

TRANS NPN 800V 1.5A TO126-3

查看国产替代问 AI FAE
类型NPN
集射极耐压800 V
集电极电流1.5 A
放大倍数 hFE20

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

类型NPN
集射极耐压800 V
集电极电流1.5 A最大
放大倍数 hFE20100mA
功率20 W最大
电源
Current - Collector Cutoff (Max)10µA (ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)1.5 A
Power - Max20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)800 V
交流 / 直流特性
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition15MHz
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature150°C(TJ)
PackageBulk
Package / CaseTO-225AA, TO-126-3
Supplier Device PackageTO-126-3
其他
Base Product NumberKSC5026
Mfronsemi
Product StatusActive
Series-
Transistor TypeNPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic2V @ 150mA, 750mA

器件图片

技术资料

该型号暂未收录资料。