onsemi美国

KSC5802

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

电源
IC-最大集电极电流	10A
VCEO-CE结击穿电压	800V
交流 / 直流特性
fT-变换频率	NMHZ
Hfe-最小直流增益	7
环境与封装
封装类型1	TO-3PF
最大工作温度	150℃
其他
Pd-最大功率耗散	60W
引脚数量1	3

技术资料

该型号暂未收录资料。