台积电流片,长电科技封装;是一款单N型MOSFET,采用Trench工艺,适用于便携式电子设备、DC-DC转换器、LED驱动器等领域。SOT223;N—Channel沟道,60V;7A;RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;

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沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流7 A
导通电阻32 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流7 A
导通电阻32 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)7A
其他
导通电阻(RDS(on))32mΩ@10V
数量1个N沟道

技术资料