LONTEN(龙腾半导体)中国

LSH65R650HT

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流7 A
阈值电压4.5 V

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技术参数

沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流7 A
阈值电压4.5 V最大
电源
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)7A
阈值电压(Vgs(th))4.5V
其他
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 703.1 KB · 2026-09-21
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