LWD3003AD3
晶体管 - FET，MOSFET - 单硅N+P沟道功率MOSFET，采用沟槽技术，低栅极电荷和导通电阻，快速开关，适用于多种应用
沟道N + P
耐压30 V
连续漏极电流16 ~ 23 A
导通电阻24 mΩ
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沟道N + P
耐压30 V
连续漏极电流16 ~ 23 A
导通电阻24 mΩ最大 · 10V，10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 23A；16A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V；11mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 |
技术资料
该型号暂未收录资料。