LWD6001AS
晶体管 - FET，MOSFET - 单N+P沟道功率MOSFET，采用沟槽技术，具有低栅极电荷和导通电阻，开关速度快
沟道N + P
耐压60 V
连续漏极电流5 ~ 6 A
导通电阻35 mΩ
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沟道N + P
耐压60 V
连续漏极电流5 ~ 6 A
导通电阻35 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 6A；5A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 |
技术资料
该型号暂未收录资料。